技术

SilvoFlash™ 技术概述

SilvoFlash™ 指的是“单低电压闪存”，它利用 NOR Flash 技术的优势，采用浮栅结构，实现了真正的单低电压闪存运行。SilvoFlash™ 是代码存储和参数设置的理想解决方案，在设计时充分考虑了功耗、成本、存储密度和芯片尺寸，以满足客户的需求。

SilvoFlash™ 技术优势：

• 低电压 (Vdd)

- 读取单元电流仅需单低电压

• 超低功耗

- 待机模式下功耗低

- 读取模式下功耗低（读取时仅需 Vdd，无需电荷泵电路）

- PG/ER 模式下功耗低（宏 IP 中最大电压为 7V）

• 高可靠性和数据保持能力

闪存单元采用浮栅结构，可实现高耐久性和数据保持能力的电荷存储。

- 耐久性 > 100K

- 数据保持能力 > 10 85°C下可稳定工作多年

• 逻辑兼容，可扩展至28nm工艺

- SilvoFlash™工艺位于逻辑器件之前，易于嵌入式制造。

- FG-FG间距由地电源屏蔽，无交叉耦合问题。

• 经济高效

- 位单元和宏单元尺寸小

- 嵌入式闪存中掩模层数更少

• 系统尺寸小

SilvoFlash™技术使MCU能够在0.9V~1.65V、1.35V~1.65V、1.6V~3.6V等宽Vdd范围内工作。因此，SilvoFlash™有助于减少LDO和无源元件（电阻、电容、二极管等）的使用，从而降低功耗和系统尺寸。此外，SilvoFlash™的低Vdd特性使MCU能够使用单节纽扣电池或AAA电池在0.9V~1.65V电压下工作，从而缩小系统尺寸，实现更优雅紧凑的产品。 设计。