技术

SilvoFE II™ 技术概述

SilvoFE II™ 指的是“单低电压闪存+EEPROM”，它是第二代 SilvoFET™ 技术，采用单一工艺即可支持 eFlash 和 eEEPROM 功能。该技术仅需基于逻辑或 BCD 工艺的额外 3~4 层掩模。

SilvoFE II™ 技术优势：

• 低成本

- 采用先进的单元结构，位单元尺寸小

- 仅需 3~4 层掩模

- 可定制嵌入式和 ROM 宏

• 低电压 (Vdd)

- 宏 IP 中的最大电压为 12V，而非 15V

- 真正的 5V 逻辑平台器件

• 真正的 EEPROM

- 阵列中的字节 PG/ER 操作

- 高耐久性 > 100K 次 PG/ER 循环

- 高数据保持性 > 20 年（85°C）