技术

SilvoFET™ 技术概述

SilvoFET™ 指的是“单芯片低电压闪存+EEPROM”，它采用先进的非易失性存储器 (NVM) 单元，通过单一工艺即可同时支持 eFlash 和 eEEPROM 功能。

SilvoFET™ 技术优势：

• 低成本

- 采用先进的单元结构，位单元尺寸小

- 更少的掩模层

- 可定制嵌入式系统和 ROM 的宏

• 低电压 (Vdd)

- 宏 IP 中的最大电压为 12V，而非 15V

- 真正的 5V 逻辑平台器件

• 真正的 EEPROM

- 阵列中的字节 PG/ER 操作

- 高耐久性 > 100K 次 PG/ER 循环

- 高数据保持性 > 20 年（85°C）